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GT45F123

更新时间： 2024-02-08 18:57:45

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东芝 - TOSHIBA		局域网栅双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	261K
描述
TRANSISTOR 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, 2-10U1C, TO-220SIS, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

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GT45F123 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	2-10U1C, TO-220SIS, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.24
外壳连接：	ISOLATED	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	290 ns
标称接通时间 (ton)：	230 ns	Base Number Matches：	1

GT45F123 数据手册

GT45F123

– V

200

180

160

200

180

160

Common emitter

Tc = −40°C

Tc = 25°C

140

120

140

120

100

= 8 V

Collector−emitter voltage

(V)

Collector−emitter voltage

(V)

– V

– Tc

GE(OFF)

200

180

160

Common emitter

= 5 V

Common emitter

Tc = 125°C

= 10 mA

140

120

100

= 8 V

160

−80

−40

120

Collector−emitter voltage

(V)

Case temperature Tc (°C)

– V

V – Tc

CE (sat)

120

100

Common emitter

= 5 V

Common emitter

125

= 15 V

Tc = −40 °C

120

100

= 10 A

−40

120

160

Gate−emitter voltage

(V)

Case temperature Tc (°C)

2007-09-13

1 2 345 6 7

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