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GT35J321

更新时间： 2024-09-15 12:36:03
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东芝 - TOSHIBA 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 290K
描述
Fourth-generation IGBT Current Resonance Inverter Switching Applications

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GT35J321 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
其他特性：HIGH SPEED最大集电极电流 (IC)：37 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：510 ns标称接通时间 (ton)：330 ns
Base Number Matches：1

GT35J321 数据手册

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GT35J321  
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT  
GT35J321  
Fourth-generation IGBT  
Current Resonance Inverter Switching Applications  
Unit: mm  
z
z
z
z
z
Enhancement mode  
High speed: t = 0.19 μs (typ.) (I = 50 A)  
f
C
Low saturation voltage: V  
= 1.9 V (typ.) (I = 50 A)  
C
CE (sat)  
FRD included between emitter and collector  
Toshiba package name: TO-3P(N)IS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector−emitter voltage  
Gate−emitter voltage  
V
V
600  
±25  
18  
V
V
CES  
GES  
@ Tc = 100°C  
Collector current (DC)  
Collector current (pulse)  
Diode forward current  
I
C
A
A
A
1. GATE  
@ Tc = 25°C  
37  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
I
100  
20  
CP  
DC  
I
F
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
Pulse  
I
40  
FP  
@ Tc = 100°C  
@ Tc = 25°C  
30  
Collector power  
dissipation  
P
W
C
75  
TOSHIBA  
2-16F1A  
Junction temperature  
T
150  
−55 to 150  
°C  
°C  
j
Weight: 5.8 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance (IGBT)  
Thermal resistance (diode)  
R
R
1.67  
3.2  
°C/W  
°C/W  
th (j-c)  
th (j-c)  
Equivalent Circuit  
Marking  
Collector  
Emitter  
TOSHIBA  
GT35J321  
Part No. (or abbreviation code)  
Lot No.  
Gate  
A line indicates  
lead (Pb)-free package or  
lead (Pb)-free finish.  
1
2008-03-26  
123456

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与GT35J321相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GT35PI120B9H SILVERMICRO

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 		PIM IGBT-1200V
GT36 ETC

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 		PNEUMATIC TURBINE VIBRATIORS
GT36-1.6-2.9SCF HRS

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 		连接器类型:端子;线束品:无;接线方法:焊接;RoHS2:匹配;SVHC:30th 不含;
GT36-1.6-2.9SCF(A) HRS

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 		连接器类型:端子;线束品:无;(Max.)频率:2.5 GHz;插拔次数:30;外部的接点
GT36-1.6-2.9SCF(A)-B HRS

获取价格

 		连接器类型:端子;线束品:无;RoHS2:匹配;SVHC:30th 不含;
GT36-1A/1S-CV HRS

获取价格

 		连接器类型:插头;线束品:无;(Max.)频率:2.5 GHz;(Max.)使用温度范围:
GT36-1A/1S-HU(A) HRS

获取价格

 		连接器类型:插头;线束品:无;RoHS2:匹配;SVHC:30th 不含;连接器类型详细信
GT36-1A/1S-HU(B) HRS

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 		连接器类型:插头;线束品:无;RoHS2:匹配;SVHC:30th 不含;连接器类型详细信
GT36-2428SCF HRS

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 		连接器类型:端子;线束品:无;(Max.)频率:2.5 GHz;插拔次数:30;中心接点部
GT36-2428SCF(A) HRS

获取价格

 		连接器类型:端子;线束品:无;(Max.)频率:2.5 GHz;插拔次数:30;中心接点部

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