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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LQFP, | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.35 |
| 最长访问时间： | 7.5 ns | 其他特性： | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY. |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 75497472 bit |
| 内存集成电路类型： | ZBT SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX18 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.75 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.25 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GS8640FZ18GT-8 | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
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| GS8640FZ18GT-8I | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
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| GS8640FZ18GT-8IT | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
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| GS8640FZ18GT-8IVT | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
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| GS8640FZ18GT-8T | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
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| GS8640FZ18GT-8V | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
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