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GS8640FZ18GT-8

更新时间： 2024-02-10 13:58:57

品牌	Logo	应用领域
GSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	255K
描述
ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

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GS8640FZ18GT-8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	8 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	75497472 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

GS8640FZ18GT-8 数据手册

GS8640FZ18/36T-5.5/6.5/7.5/8

5.5 ns–8 ns

100-Pin TQFP

Commercial Temp

Industrial Temp

72Mb Flow Through

Synchronous NBT SRAM

2.5 V or 3.3 V V

2.5 V or 3.3 V I/O

available bus bandwidth by eliminating the need to insert

deselect cycles when the device is switched from read to write

cycles.

Features

• NBT (No Bus Turn Around) functionality allows zero wait

read-write-read bus utilization; Fully pin-compatible with

Flow Through NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ SRAMs

• 2.5 V or 3.3 V +10%/–10% core power supply

• 2.5 V or 3.3 V I/O supply

Because it is a synchronous device, address, data inputs, and

read/ write control inputs are captured on the rising edge of the

input clock. Burst order control (LBO) must be tied to a power

rail for proper operation. Asynchronous inputs include the

Sleep mode enable (ZZ) and Output Enable. Output Enable can

be used to override the synchronous control of the output

drivers and turn the RAM's output drivers off at any time.

Write cycles are internally self-timed and initiated by the rising

edge of the clock input. This feature eliminates complex off-

chip write pulse generation required by asynchronous SRAMs

and simplifies input signal timing.

• Flow Through mode

• LBO pin for Linear or Interleave Burst mode

• Pin compatible with 4Mb, 9Mb, 18Mb and 36Mb devices

• Byte write operation (9-bit Bytes)

• 3 chip enable signals for easy depth expansion

• ZZ Pin for automatic power-down

• JEDEC-standard 100-lead TQFP package

• RoHS-compliant 100-lead TQFP package available

The GS8640FZ18/36T is configured to operate in Flow

Through mode.

Functional Description

The GS8640FZ18/36T is a 72Mbit Synchronous Static SRAM.

GSI's NBT SRAMs, like ZBT, NtRAM, NoBL or other flow

through read/single late write SRAMs, allow utilization of all

The GS8640FZ18/36T is implemented with GSI's high

performance CMOS technology and is available in a JEDEC-

standard 100-pin TQFP package.

Parameter Synopsis

-5.5

-6.5

-7.5

-8

Unit

5.5

6.5

7.5

8.0

Flow

Through

2-1-1-1

tCycle

Curr (x18)

Curr (x36)

285

330

245

280

220

250

210

240

Packages listed with the additional “G” designator are 6/6 RoHS compliant.

Rev: 1.01 10/2013

1/21

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...21

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与GS8640FZ18GT-8相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GS8640FZ18GT-8I	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100	获取价格
GS8640FZ18GT-8IT	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100	获取价格
GS8640FZ18GT-8IVT	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100	获取价格
GS8640FZ18GT-8T	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100	获取价格
GS8640FZ18GT-8V	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100	获取价格
GS8640FZ18T-6.5IVT	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	获取价格

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