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GS8640FZ18GT-8

更新时间： 2024-01-14 09:15:22

品牌	Logo	应用领域
GSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	255K
描述
ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

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GS8640FZ18GT-8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	8 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	75497472 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

GS8640FZ18/36T-5.5/6.5/7.5/8

GS8640FZ18/36 NBT SRAM Functional Block Diagram

n s e e S A m p

i t r e W D r i v e r

Rev: 1.01 10/2013

5/21

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GS8640FZ18GT-8I	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100	获取价格
GS8640FZ18GT-8IT	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100	获取价格
GS8640FZ18GT-8IVT	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100	获取价格
GS8640FZ18GT-8T	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100	获取价格
GS8640FZ18GT-8V	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100	获取价格
GS8640FZ18T-6.5IVT	GSI	ZBT SRAM, 4MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	获取价格