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GS72008J15I

更新时间: 2024-11-16 15:33:23
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 524K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 15ns, CMOS, PDSO36

GS72008J15I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ36,.44Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.B风险等级:5.92
最长访问时间:15 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J36JESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
端子数量:36字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ36,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.015 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.095 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GS72008J15I 数据手册

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