5秒后页面跳转
GS72008TP12 PDF预览

GS72008TP12

更新时间: 2024-11-17 08:22:43
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 524K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 12ns, CMOS, PDSO44

GS72008TP12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.B风险等级:5.92
最长访问时间:12 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
端子数量:44字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.11 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL

GS72008TP12 数据手册

 浏览型号GS72008TP12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GS72008TP12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GS72008TP12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GS72008TP12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GS72008TP12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GS72008TP12的Datasheet PDF文件第7页 

与GS72008TP12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GS72008TP12I GSI

获取价格

暂无描述
GS72008TP15 GSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX8, 15ns, CMOS, PDSO44
GS72008TP15I GSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX8, 15ns, CMOS, PDSO44
GS72108AGJ-10 GSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-36
GS72108AGJ-10I GSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-36
GS72108AGJ-10IT GSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-36
GS72108AGJ-10T GSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-36
GS72108AGJ-12I GSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-36
GS72108AGJ-6I GSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX8, 6ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, SOJ-36
GS72108AGJ-6T GSI

获取价格

Standard SRAM, 256KX8, 6ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, SOJ-36