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GS72008TP15

更新时间: 2024-11-16 15:33:23
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 524K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 15ns, CMOS, PDSO44

GS72008TP15 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.B风险等级:5.92
最长访问时间:15 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
端子数量:44字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GS72008TP15 数据手册

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