Datasheet > 存储 > SRAM> GS71024T-8I

GS71024T-8I

更新时间： 2024-11-09 07:02:03

品牌	Logo	应用领域
GSI		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	279K
描述
64K x 24 1.5Mb Asynchronous SRAM

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GS71024T-8I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	8 ns	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	1572864 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	24
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX24	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

GS71024T-8I 数据手册

GS71024T/U

8, 9, 10, 12, 15 ns

TQFP, FP-BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

64K x 24

1.5Mb Asynchronous SRAM

3.3 V V

Center V and V

Features

Fine Pitch BGA Bump Configuration

• Fast access time: 8, 9, 10, 12, 15 ns

• CMOS low power operation: 190/170/160/130/110 mA at

minimum cycle time.

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• All inputs and outputs are TTL-compatible

• Fully static operation

DQ DQ CE2 WE DQ DQ

DQ DQ CE1 OE DQ DQ

• Industrial Temperature Option: –40 to 85°C

• Package

T: 100-pin TQFP package

U: 6 mm x 8 mm Fine Pitch Ball Grid Array

GT: Pb-Free 100-pin TQFP available

DQ DQ

Description

DQ DQ A11 A10 DQ DQ

DQ A15 A14 A13 A12 DQ

The GS71024 is a high speed CMOS static RAM organized as

65,536 words by 24 bits. Static design eliminates the need for

external clocks or timing strobes. The GS71024 operates on a

single 3.3 V power supply, and all inputs and outputs are TTL-

compatible. The GS71024 is available in a 6 mm x 8 mm Fine

Pitch BGA package, as well as in a 100-pin TQFP package.

6 mm x 8 mm, 0.75 mm Bump Pitch

Top View

Pin Descriptions

Symbol

A0 to A15

X/Y

Description

Address input

Symbol

DQ1 to DQ24

Description

Data input/output

Address Multiplexer Control

Output enable input

—

Vector Input

V/S

—

Write enable input

Chip enable input

+3.3 V power supply

CE1, CE2

Ground

Block Diagram

Row

Decoder

Memory Array

1024 x 1536

Address

Input

A14

Column

Decoder

A15

X/Y

V/S

CE1

CE2

I/O Buffer

Control

DQ1

DQ24

Rev: 1.05 11/2004

1/13

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GS71024T-8IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX24, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
GS71024T-8T	GSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX24, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
GS71024T-9	GSI	获取价格	64K x 24 1.5Mb Asynchronous SRAM
GS71024T-9I	GSI	获取价格	64K x 24 1.5Mb Asynchronous SRAM
GS71024T-9IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX24, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
GS71024T-9T	GSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX24, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
GS71024U-10	GSI	获取价格	64K x 24 1.5Mb Asynchronous SRAM
GS71024U-10I	GSI	获取价格	64K x 24 1.5Mb Asynchronous SRAM
GS71024U-10IT	ETC	获取价格	x24 SRAM
GS71024U-10T	GSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX24, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

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