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GS71024U-8IT

更新时间: 2024-11-07 19:43:27
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 378K
描述
Standard SRAM, 64KX24, 8ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

GS71024U-8IT 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA,
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91最长访问时间:8 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B48长度:8 mm
内存密度:1572864 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:24湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:48
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX24
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
宽度:6 mmBase Number Matches:1

GS71024U-8IT 数据手册

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GS71024T/U  
8, 9, 10, 12, 15 ns  
TQFP, FP-BGA  
Commercial Temp  
Industrial Temp  
64K x 24  
1.5Mb Asynchronous SRAM  
3.3 V V  
DD  
Center V and V  
DD  
SS  
Features  
Fine Pitch BGA Bump Configuration  
• Fast access time: 8, 9, 10, 12, 15 ns  
• CMOS low power operation: 190/170/160/130/110 mA at  
minimum cycle time.  
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
DQ  
A3  
A2  
A1  
A0  
DQ  
• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply  
• All inputs and outputs are TTL-compatible  
• Fully static operation  
DQ DQ CE2 WE DQ DQ  
DQ DQ CE1 OE DQ DQ  
• Industrial Temperature Option: –40 to 85°C  
• Package  
V
V
DQ  
DQ  
A5  
A7  
A9  
A4  
A6  
A8  
DQ  
DQ  
SS  
DD  
DD  
SS  
T: 100-pin TQFP package  
U: 6 mm x 8 mm Fine Pitch Ball Grid Array  
GT: Pb-Free 100-pin TQFP available  
V
V
E
F
DQ DQ  
DQ DQ  
Description  
G
H
DQ DQ A11 A10 DQ DQ  
DQ A15 A14 A13 A12 DQ  
The GS71024 is a high speed CMOS static RAM organized as  
65,536 words by 24 bits. Static design eliminates the need for  
external clocks or timing strobes. The GS71024 operates on a  
single 3.3 V power supply, and all inputs and outputs are TTL-  
compatible. The GS71024 is available in a 6 mm x 8 mm Fine  
Pitch BGA package, as well as in a 100-pin TQFP package.  
6 mm x 8 mm, 0.75 mm Bump Pitch  
Top View  
Pin Descriptions  
Symbol  
A0 to A15  
X/Y  
Description  
Address input  
Symbol  
DQ1 to DQ24  
Description  
Data input/output  
Address Multiplexer Control  
Output enable input  
Vector Input  
V/S  
OE  
WE  
Write enable input  
Chip enable input  
+3.3 V power supply  
CE1, CE2  
V
V
Ground  
DD  
SS  
Block Diagram  
A0  
Row  
Decoder  
Memory Array  
1024 x 1536  
Address  
Input  
A14  
Column  
Decoder  
A15  
X/Y  
0
1
Q
V/S  
CE1  
CE2  
I/O Buffer  
Control  
WE  
OE  
DQ1  
DQ24  
Rev: 1.05 11/2004  
1/13  
© 1999, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  

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