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GM76C256CLLET-70

更新时间: 2024-02-09 04:53:10
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 81K
描述
x8 SRAM

GM76C256CLLET-70 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.78
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP28,.53,22封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM76C256CLLET-70 数据手册

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LG Semicon  
GM76C256CL/LL  
Capacitance (f = 1MH  
Z
, T = 25C)  
A
Symbol  
CIN  
Parameter  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Test Conditions  
VI = 0V  
Min  
Max  
Unit  
pF  
-
-
6
8
VO = 0V  
COUT  
pF  
*Note: This parameter is sampled and not 100% tested.  
Data Retention Characteristics (TA = -25 ~ 85C)  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
VCCR  
Data Retention Supply Voltage  
/CS > VCCR - 0.2V  
2.0  
-
-
0.5*1  
0.5 *1  
1 *1  
1*1  
-
5.5  
7
V
0 to +70C (LL)  
-25 to +85C (LLE)  
0 to +70C (L)  
-
10  
15  
20  
-
Data Retention  
Current  
VCC = 3.0V  
ICCR  
uA  
/CS > 2.8V  
-
-25 to +85C (LE)  
-
tCDR  
tR  
Chip Select to Data Retention Time  
Operation Recovery Time  
0
5
ns  
Refer to the figure  
below  
-
-
ms  
Notes:  
1. Typ, Values are measured at 25C  
Data Retention Timing  
Data Retention Mode  
VCC  
4.5V  
t
CDR  
t
R
2.2V  
VCCR  
/CS  
/CS VCCR - 0.2V  
>
GND  
Note: When retaining data in standby mode, supply voltage can be lowered within a certain range.  
Read or write cycle cannot be performed while the supply voltage is low.  
40  

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