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GM76C256CLLET-70

更新时间: 2024-01-16 15:16:06
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 81K
描述
x8 SRAM

GM76C256CLLET-70 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.78
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP28,.53,22封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM76C256CLLET-70 数据手册

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LG Semicon  
Timing Waveforms  
GM76C256CL/LL  
Read Cycle 1 (Note 1, 2)  
t
RC  
ADD  
t
AA  
t
OH  
DOUT  
PREVIOUS VALID DATA  
VALID DATA  
Read Cycle 2 (Note 2)  
t
RC  
ADD  
/CS  
/OE  
t
ACS  
t
OE  
t
OHZ  
CHZ  
t
OLZ  
t
t
CLZ  
High-Z  
DOUT  
VALID DATA  
High-Z  
Notes:  
1. Device is continuously selected. /OE, /CS < VIL.  
2. /WE is high for read cycle.  
37  

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