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GM76C256CLL-55W

更新时间: 2024-02-06 16:23:13
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海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 185K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

GM76C256CLL-55W 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.15
最长访问时间:120 ns其他特性:ALSO OPERATES WITH 5V SUPPLY
JESD-30 代码:R-PDIP-T28长度:37.008 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.826 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

GM76C256CLL-55W 数据手册

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GM76C256CW Series  
TIMING DIAGRAM  
READ CYCLE 1  
tRC  
ADDR  
OE  
tAA  
tOE  
tOH  
tOLZ  
CS  
tACS  
tCLZ  
tOHZ  
tCHZ  
High-Z  
Data  
Out  
Data Valid  
Note(READ CYCLE):  
1. tCHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and arenot  
referenced to output voltage levels.  
2. At any given temperature and voltage condition, tCHZ max. is less than tCLZ min. both for a given device  
and from device to device.  
3. /WE is high for the read cycle.  
READ CYCLE 2  
tRC  
ADDR  
tAA  
tOH  
tOH  
Data  
Out  
Previous Data  
Data Valid  
Note(READ CYCLE):  
1. /WE is high for the read cycle.  
2. Device is continuously selected /CS= VIL.  
3. /OE =VIL.  
Rev 02 / Apr. 2001  
5

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