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GM76C256CLL-55W

更新时间： 2024-02-03 05:55:48

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	185K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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GM76C256CLL-55W 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.15
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	ALSO OPERATES WITH 5V SUPPLY
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	长度：	37.008 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.826 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

GM76C256CLL-55W 数据手册

GM76C256CW Series

WRITE CYCLE 1(/OE Clocked)

tWC

ADDR

tAW

tCW

tAS

tWR

tWP

tDW

tDH

Data Valid

Data In

tOHZ

Data

Out

WRITE CYCLE 2 (/OE Low Fixed)

tWC

ADDR

tAW

tCW

tWR

tAS

tWP

tDW

tDH

Data Valid

tOW

Data In

tWHZ

(8)

(7)

Data

Out

Rev 02 / Apr. 2001

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GM76C256CLLE-70	ETC	获取价格	x8 SRAM
GM76C256CLLE-85	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
GM76C256CLLEFW	HYNIX	获取价格	32K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM
GM76C256CLLEFW-55	ETC	获取价格	x8 SRAM
GM76C256CLLEFW-70	ETC	获取价格	x8 SRAM
GM76C256CLLET	HYNIX	获取价格	32K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM