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GM76C256CLLET-70

更新时间： 2024-02-15 14:55:11
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 81K
描述
x8 SRAM

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GM76C256CLLET-70 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.00001 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

GM76C256CLLET-70 数据手册

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GM76C256CL/LL  
LG Semicon Co.,Ltd.  
32,768 WORDS x 8 BIT  
CMOS STATIC RAM  
Description  
Pin Configuration  
The GM76C256C family is a 262,144 bits static  
random access memory organized as 32,768 words  
by 8 bits. Using a 0.6um advanced CMOS tech-  
1
28  
27  
A14  
VCC  
2
3
4
5
6
A12  
A7  
/WE  
nology and operated a single 5.0V supply.  
.
26 A13  
Advanced circuit techniques provide both high  
speed and low power consumption. The Family  
can support various operating temerature ranges  
25  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
A8  
24  
A9  
23  
A11  
for user flexibility of system design.  
.
7
8
22 /OE  
21 A10  
20 /CS  
The Family has Chip select /CS, which allows for  
device selection and data retention control, and  
output enable (/OE), which provides fast memory  
access. Thus it is suitable for high speed and low  
power applications, particularly where battery  
9
10  
19  
I/O7  
I/O0 11  
18 I/O6  
back-up is required.  
.
12  
17  
I/O1  
I/O5  
I/O2 13  
VSS 14  
16 I/O4  
15 I/O3  
Features  
* High Speed : Fast Access and Cycle Time  
55/70ns Max  
(Top View)  
* Low Power Standby and Low Power Operation  
-Standby : 165uW at TA= -25 ~ 85C (LLE)  
110uW at TA= 0 ~ 70C (LL)  
Block Diagram  
-Operation : 385mW at Vcc=5.0V + 0.5V  
* Completely Static RAM : No Clock or Timing  
strobe required  
* Power Supply Voltage : 5.0V + 0.5V  
* Low Data Retention Voltage : 2.0V(Min)  
* Temperature Range  
A0  
A1  
A2  
MEMORY CELL ARRAY  
512 x 64 x 8  
9
512  
X
Decoder  
(32K x 8)  
Address  
Buffer  
-GM76C256CL/LL  
: ( 0 ~ 70C)  
-GM76C256CLE/LLE : (-25 ~ 85C)  
* Package Type : JEDEC Standard  
28-DIP,SOP,TSOP(I)  
64 x 8  
6
64  
A13  
Y
Column Select  
A14  
Decoder  
Pin Description  
8
Pin  
A0-A14  
/WE  
Function  
Address Inputs  
Write Enable Input  
Output Enable Input  
Chip Select Input  
Data Input/Output  
Power Supply  
Chip  
Control  
/CS  
/OE  
I/O  
Control  
/WE  
I/O Buffer  
/OE  
/CS  
I/O0-I/O7  
VCC  
VSS  
Ground  
33  
1234567...10

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与GM76C256CLLET-70相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM76C256CLLET-85 HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

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