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GM71V64803CT-5

更新时间： 2024-02-10 07:35:22
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 112K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

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GM71V64803CT-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.2
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP32,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：NO最大待机电流：0.0005 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71V64803CT-5 数据手册

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GM71V64803C  
GM71VS64803CL  
Read Cycles  
GM71V(S)64803C/CL-6  
GM71V(S)64803C/CL-5  
Symbol  
Parameter  
Notes  
Unit  
Min  
Max  
50  
Max  
60  
Min  
-
-
-
-
Access Time from RAS  
t
RAC  
CAC  
ns 8,9  
13  
15  
Access Time from CAS  
ns 9,10,17  
ns 9,11,17  
t
-
-
25  
13  
-
-
30  
15  
-
Access Time from Column Address  
Access Time from OE  
tAA  
9
t
OAC  
RCS  
ns  
0
0
0
Read Command Set-up Time  
-
ns  
t
12  
ns  
0
-
-
Read Command Hold Time to CAS  
Read Command Hold Time to RAS  
Column Address to RAS Lead Time  
Column Address to CAS Lead Time  
Output Buffer Turn-off Delay Time from CAS  
Output Buffer Turn-off Delay Time from OE  
-
-
t
RCH  
RRH  
12  
ns  
0
0
t
30  
18  
25  
15  
-
-
-
ns  
t
RAL  
CAL  
OFF  
OEZ  
CDD  
-
ns  
t
-
-
13  
13  
-
-
-
15  
15  
t
ns 13,21  
13  
ns  
t
13  
-
-
5
ns  
ns  
15  
15  
CAS to DIN Delay Time  
RAS to DIN Delay Time  
t
-
13  
tRDD  
15  
-
-
-
WE to DIN Delay Time  
13  
-
ns  
ns  
t
WDD  
13,21  
13  
Output Buffer Turn-off Delay Time from RAS  
13  
13  
15  
15  
t
OFR  
-
3
-
tWEZ  
Output Buffer Turn-off Delay Time from WE  
Output Data Hold Time  
ns  
ns  
ns  
3
21  
-
-
-
-
-
-
-
-
tOH  
Output Data Hold Time from RAS  
3
3
21  
tOHR  
50  
3
Read Command Hold Time from RAS  
Output data hold time from OE  
CAS to Output in Low - Z  
60  
3
ns  
ns  
ns  
tRCHR  
-
-
t
OHO  
0
0
tCLZ  
Rev 0.1 / Apr’01  
12345678...11

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