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GM71V65163AT-5

更新时间： 2024-02-12 11:25:18
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 397K
描述
x16 EDO Page Mode DRAM

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GM71V65163AT-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP, TSOP50,.46,32Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82最长访问时间：50 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G50
JESD-609代码：e0内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：16
端子数量：50字数：4194304 words
字数代码：4000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096自我刷新：NO
最大待机电流：0.0005 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.2 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

GM71V65163AT-5 数据手册

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GM71V65163A  
GM71VS65163AL  
4,196,304 WORDS x 16 BIT  
CMOS DYNAMIC RAM  
LG Semicon Co.,Ltd.  
Description  
Pin Configuration  
¥±  
50 SOJ / TSOP  
The GM71V(S)65163A/AL is the new generation  
dynamic RAM organized 4,196,304 words by 16  
bits. The GM71V(S)65163A/AL utilizes advanced  
CMOS Silicon Gate Process Technology as well as  
advanced circuit techniques for wide operating  
margins, both internally and to the system user.  
System oriented features include single power supply  
of 3.3V+/-10% tolerance, direct interfacing  
capability with high performance logic families such  
as Schottky TTL.  
VCC  
IO0  
IO1  
IO2  
IO3  
VCC  
IO4  
IO5  
IO6  
IO7  
50 VSS  
1
2
3
4
49  
48  
IO15  
IO14  
47 IO13  
46  
5
6
IO12  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
VSS  
IO11  
IO10  
7
8
9
IO9  
IO8  
NC  
The GM71V(S)65163A/AL offers Extended Data  
Out(EDO) Mode as a high speed access mode.  
10  
NC 11  
VCC  
/WE  
12  
13  
VSS  
38  
/LCAS  
/UCAS  
Features  
/RAS 14  
37  
36  
35  
34  
NC  
NC  
NC  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
/OE  
* 4,196,304 Words x 16 Bit  
* Extended Data Out (EDO) Mode Capability  
* Fast Access Time & Cycle Time  
NC  
NC  
33  
32  
NC  
A11  
A10  
A9  
(Unit: ns)  
31  
30  
29  
28  
27  
t
RAC  
50  
t
AA  
t
CAC  
t
RC  
t
HPC  
A8  
90  
20  
25  
25  
30  
13  
15  
GM71V(S)65163A/AL-5  
GM71V(S)65163A/AL-6  
A7  
A5  
A6  
110  
60  
26 VSS  
VCC 25  
*Power dissipation  
- Active : 720mW/648mW(MAX)  
(Top View)  
- Standby : 1.8 mW ( CMOS level : MAX )  
0.54mW ( L-Version : MAX)  
*EDO page mode capability  
*Access time : 50ns/60ns (max)  
*Refresh cycles  
- RAS only Refresh  
§Â  
4096 cycles/64  
(GM71V65163A)  
§Â  
4096 cycles/128 (GM71VS65163AL)(L_Version)  
*CBR & Hidden Refresh  
§Â  
4096 cycles/64  
(GM71V65163A)  
§Â  
4096 cycles/128  
*4 variations of refresh  
-RAS-only refresh  
(GM71VS65163AL)( L-Version )  
-CAS-before-RAS refresh  
-Hidden refresh  
-Self refresh (L-Version)  
*Single Power Supply of 3.3V+/-10 % with a built-in VBB generator  
*Battery Back Up Operation ( L-Version )  
1
1234567...24

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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