是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 60 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ32,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.175 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GM71V65803AT-5 | ETC |
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x8 EDO Page Mode DRAM | |
GM71V65803AT-6 | ETC |
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x8 EDO Page Mode DRAM | |
GM71V65803C(CL) | ETC |
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8Mx8|3.3V|4K|5/6|FP/EDO DRAM - 64M | |
GM71V65803CJ-5 | ETC |
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x8 EDO Page Mode DRAM | |
GM71V65803CJ-6 | ETC |
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x8 EDO Page Mode DRAM | |
GM71V65803CT-5 | ETC |
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x8 EDO Page Mode DRAM | |
GM71V65803CT-6 | ETC |
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x8 EDO Page Mode DRAM | |
GM71VS16160ALJ-6 | ETC |
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x16 Fast Page Mode DRAM | |
GM71VS16160ALJ-7 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM | |
GM71VS16160ALJ-8 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM |