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GM71C4100BLT-60

更新时间: 2024-02-28 15:28:47
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 1390K
描述
x1 Fast Page Mode DRAM

GM71C4100BLT-60 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G20内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL

GM71C4100BLT-60 数据手册

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