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GD600HFX170C6S

更新时间： 2024-04-09 18:58:54
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斯达半导体 - STARPOWER /
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9页 191K
描述
C6.1-Half Bridge

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GD600HFX170C6S 数据手册

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GD600HFX170C6S  
IGBT Module  
IGBT Characteristics TC=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
IC=600A,VGE=15V,  
Tj=25oC  
Min. Typ. Max. Unit  
1.85 2.20  
Collector to Emitter  
Saturation Voltage  
IC=600A,VGE=15V,  
VCE(sat)  
2.25  
2.35  
6.2  
V
Tj=125oC  
IC=600A,VGE=15V,  
Tj=150oC  
Gate-Emitter Threshold IC=12.0mA,VCE=VGE,  
Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
Gate-Emitter Leakage  
Current  
VGE(th)  
ICES  
5.6  
6.8  
5.0  
V
Tj=25oC  
VCE=VCES,VGE=0V,  
mA  
nA  
Tj=25oC  
VGE=VGES,VCE=0V,  
Tj=25oC  
IGES  
400  
RGint  
Cies  
Internal Gate Resistance  
Input Capacitance  
Reverse Transfer  
Capacitance  
1.1  
72.3  
Ω
nF  
VCE=25V,f=1MHz,  
VGE=0V  
Cres  
1.75  
nF  
QG  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Gate Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
VGE=-15…+15V  
5.66  
160  
67  
527  
138  
μC  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=900V,IC=600A,  
RG=1.0Ω,VGE=±15V,  
Tj=25oC  
Eon  
Eoff  
154  
132  
mJ  
mJ  
Turn-Off Switching  
Loss  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
168  
80  
585  
168  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=900V,IC=600A,  
RG=1.0Ω,VGE=±15V,  
Tj=125oC  
Eon  
Eoff  
236  
189  
mJ  
mJ  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Switching  
Loss  
Turn-Off Switching  
Loss  
192  
80  
624  
198  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=900V,IC=600A,  
RG=1.0Ω,VGE=±15V,  
Tj=150oC  
Eon  
Eoff  
259  
195  
mJ  
mJ  
tP≤10μs,VGE=15V,  
Tj=150oC,VCC=1000V,  
VCEM≤1700V  
ISC  
SC Data  
2400  
A
©2019 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
9/29/2019  
3/9  
preliminary  
1234567...9

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