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GD600HFX170C6S

更新时间： 2024-04-09 18:58:54
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斯达半导体 - STARPOWER /
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描述
C6.1-Half Bridge

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GD600HFX170C6S 数据手册

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GD600HFX170C6S  
IGBT Module  
250  
200  
150  
100  
50  
0.1  
Erec Tj=125℃  
Erec Tj=150℃  
Diode  
0.01  
i:  
1
2
3
4
VCC=900V  
IF=600A  
ri[K/W]: 0.0044 0.0240 0.0235 0.0211  
τi[s]: 0.01 0.02 0.05 0.1  
VGE=-15V  
0
0.001  
0
2
4
6
8
10  
0.001 0.01  
0.1  
t [s]  
1
10  
RG [Ω]  
Fig 9. Diode Switching Loss vs. RG  
100  
Fig 10. Diode Transient Thermal Impedance  
10  
1
0.1  
0
30  
60  
TC [oC]  
90  
120 150  
Fig 11. NTC Temperature Characteristic  
©2019 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
9/29/2019  
7/9  
preliminary  
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