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GD10PJX65F1S

更新时间: 2024-04-09 19:01:03
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斯达半导体 - STARPOWER /
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12页 236K
描述
F1.1-PIM

GD10PJX65F1S 数据手册

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GD10PJX65F1S  
IGBT Module  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
VGE=15V  
VCE=20V  
6
6
4
4
Tj=25  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
Tj=150℃  
Tj=125℃  
Tj=150℃  
2
2
0
0
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
5
6
7
8
9
10 11 12  
VCE [V]  
VGE [V]  
Fig 1. IGBT-inverter Output Characteristics  
0.6  
Fig 2. IGBT-inverter Transfer Characteristics  
1
Eon,Tj=125℃  
Eoff,Tj=125℃  
Eon,Tj=125℃  
Eoff,Tj=125℃  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
Eon,Tj=150℃  
Eoff,Tj=150℃  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
Eon,Tj=150℃  
Eoff,Tj=150℃  
VCC=300V  
RG=27Ω  
VGE=±15V  
VCC=300V  
IC=10A  
VGE=±15V  
0
5
10  
IC [A]  
15  
20  
0
50 100 150 200 250 300  
RG [Ω]  
Fig 3. IGBT-inverter Switching Loss vs. IC  
©2018 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
Fig 4. IGBT-inverter Switching Loss vs. RG  
2/9/2018 7/12 Preliminary