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GBU12J

更新时间： 2024-11-08 22:48:47
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页数 文件大小 规格书
2页 225K
描述
Silicon-Bridge Rectifiers

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GBU12J 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T4针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.82其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4JESD-609代码：e2
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最大输出电流：4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

GBU12J 数据手册

 浏览型号GBU12J的Datasheet PDF文件第2页 
GBU 12A ... GBU 12M ...  
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Reverse Voltage: 50 to 1000 V  
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Dimensions in mm  
1
15-10-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBU12J-LF WTE

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