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GBU15005

更新时间： 2024-05-23 22:22:07

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GBU15005 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSIP-T4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	50 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流：	240 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	50 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU15005 数据手册

GBU15005 THRU GBU1510

GLASS PASSIVATED

BRIDGE RECTIFIERS

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 15.0 Amperes

FEATURES

Surge overload rating -240 amperes peak

GBU

.437(11.1)

.430(10.9)

.139(3.56)

.130(3.30)

.126(3.2)*45°

Ideal for printed circuit board

Reliable low cost construction utilizing

molded plastic technique

.877(22.3)

.860(21.8)

CHAMFER

.161(4.1)

.134(3.4)

.752(19.1)

.720(18.3)

Plastic material has U/L

flammability classification 94V-0

.232(5.9)

.213(5.4)

.401(10.2)

.392(9.80)

.100(2.54)

.057(1.45)

MECHANICAL DATA

.100(2.54)

.081(2.06)

Case: Molded plastic body

Lead:Solder plated

Polarity: As marked

.720(18.29)

.680(17.27)

.106(2.7)

.091(2.3)

.080(2.03)

.065(1.65)

.005(1.27)

.035(0.9)

.022(.56)

.018(.46)

.210 .210 .210

.190 .190 .190

(5.33) (5.33) (5.33)

(4.8) (4.8) (4.8)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.

GBU

15005

GBU

1501

GBU

1502

GBU

1504

GBU

1506

GBU

1508

GBU

1510

SYMBOL

UNIT

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

V^RRM

V^RMS

V^DC

100

200

140

200

400

600

420

600

800

560

800

1000

280

700

Maximum DC Blocking Voltage

100

400

15.0

3.2

1000

Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)

I^(AV)

Rectified Current

@ T^C=100℃ (without heatsink)

Peak Forward Surge Current

I^FSM

240

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)

1.1

Maximum Forward Voltage at 7.5A DC

V^F

I^R

10.0

500

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ T^J=25℃

μA

@ T^J=125℃

I²t

C^J

A²s

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

200

Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)

Typical Thermal Resistance

2.2

R^θJC

T^J

℃/W

℃

-55 to +150

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T^STG

℃

NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2.Device mounted on 100mm*100mm*1.6mm Cu plate heatsink.

DN:T13B23A0

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU15005_11	SECOS	获取价格	Voltage 50V ~ 1000V 15.0Amp Glass Passivited Bridge Rectifiers
GBU15005_V01	HY	获取价格	Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU15005~GBU1510	FOSHAN	获取价格	GBU
GBU15005A	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier
GBU15005C	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
GBU15005G	COMCHIP	获取价格	Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU15005-G	COMCHIP	获取价格	Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU1501	RFE	获取价格	BRIDGE RECTIFIERS 10 Amps
GBU1501	CHENG-YI	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
GBU1501	SECOS	获取价格	15.0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers

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