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GBU15005

更新时间： 2024-01-30 13:47:22

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描述
15.0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers

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GBU15005 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSIP-T4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	50 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流：	240 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	50 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU15005 数据手册

GBU15005 THRU GBU1510

VOLTAGE 50V~ 1000V

Elektronische Bauelemente

15.0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen-free.

GBU

.139(3.53)

.133(3.37)

3.2x3.2

5^O

.874(22.2)

.860(21.8)

CHAMFER

10^O

TYP

.160(4.1)

.140(3.5)

.752(19.1)

.232(5.9)

.224(5.7)

.720(18.3)

.083(2.1)

FEATURES

.067(1.7)

Surge Overload Rating -220~350 Amperes Peak

.083(2.1)

.075(1.9)

Ideal For Printed Circuit Board

.100(2.54)

.720(18.29)

.680(17.27)

.085(2.16)

Reliable Low Cost Construction Utilizing Molded

Plastic Technique

.080(2.03)

.068(1.65)

.022(0.56)

.018(0.46)

Plastic Material Has Underwrites Laboratory

Flammability Classification 94V-0

.210

.190

(5.33) (5.33)

.210

.190

(5.33)

Mounting Position: Any

(4.83)

(4.83) (4.83)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating 25^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Resistive or inductive load, 60Hz,

For capacitive load, derate current by 20%.

GBU

1504

GBU

1506

GBU

1508

GBU

1510

GBU

1501

GBU

1502

SYMBOL

UNIT

CHARACTERISTICS

15005

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

RRM

RMS

100

200

140

200

400

280

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC Blocking Voltage

100

400

1000

Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)

I(AV)

Rectified Current

@ TC

=100^oC (without heatsink)

3.2

Peak Forward Surage Current

240

IFSM

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)

1.1

Maximum Forward Voltage at 5.0/7.5/12.5A DC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ T

=25 ^o

10.0

500

=125^oC

I²t

A²s

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

200

Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Operating Temperature Range

RθJC

C/W

2.2

-55 to +150

Storage Temperature Range

TSTG

NOTES:

1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2. Device mounted on 100mm x 100mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.

ht t p:/ /www. SeCoSGmbH. com/

Any changing of specification will not be informed individual

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01-Jun-2002 Rev. A

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