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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> GBJ2502
GBJ2502 PDF预览

GBJ2502

更新时间： 2024-02-03 17:35:42
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 90K
描述
25 Amp Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts

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GBJ2502 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
Is Samacsys：N配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
最大非重复峰值正向电流：350 A元件数量：4
最高工作温度：150 °C最大输出电流：25 A
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：200 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GBJ2502 数据手册

 浏览型号GBJ2502的Datasheet PDF文件第2页 
GBJ25005  
THRU  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
GBJ2510  
25 Amp  
Features  
Rating to 1000V PRV  
Glass Passivated  
Bridge Rectifier  
50 to 1000 Volts  
Ideal for printed circuit board  
Low forward voltage drop, high current capability.  
Reliable low cost construction utilizing molded plastic  
technique results in inexpensive product  
GBJ  
Maximum Ratings  
I
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
A
H
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Reccurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
50V  
Maximum Maximum  
RMS  
Voltage  
DC  
Blocking  
Voltage  
50V  
G
B
D
E
K
+
F
GBJ25005  
GBJ2501  
GBJ2502  
GBJ2504  
GBJ2506  
GBJ2508  
GBJ2510  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
35V  
70V  
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
100V  
P
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
200V  
400V  
600V  
800V  
C
L
M
1000V  
J
N
O
O
DIMENSIONS  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
F
G
H
MIN  
1.170  
.780  
.670  
.019  
.430  
.090  
.120  
.130  
MAX  
1.190  
.800  
.710  
.019  
.440  
.110  
.130  
.150  
MIN  
29.70  
19.70  
17.00  
4.70  
10.80  
2.30  
3.10  
MAX  
NOTE  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
25 A  
Tc = 100°C  
30.30  
20.30  
18.00  
4.90  
11.20  
2.70  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
350A  
8.3ms, half sine  
Maximum  
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
3.40  
3.80  
IFM = 12.5 A  
3.40  
VF  
IR  
1.05V  
I
J
K
L
M
N
.170  
.100  
.020  
.080  
.040  
.390  
.190  
.110  
.030  
.090  
.040  
.400  
4.40  
2.50  
0.60  
2.00  
0.90  
9.80  
4.80  
2.90  
0.80  
2.40  
1.10  
TJ = 25°C  
10 mA TJ = 25°C  
10.20  
500uA  
TJ= 125°C  
O
P
.290  
.150  
.300  
.170  
7.30  
3.80  
7.70  
4.20  
Typical thermal  
resistance  
ROJC  
0.6 /W  
°C  
Typical Junction  
Capacitance  
CJ  
85 pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
*Pulse Test: Pulse Width 300msec, Duty Cycle 1%  
www.mccsemi.com  
12

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