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GBJ2504

更新时间： 2024-11-18 20:28:43

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4页	64K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 400V V(RRM), Silicon,

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GBJ2504 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.17	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	350 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

GBJ2504 数据手册

GBJ25005–GBJ2510

Vishay Lite–On Power Semiconductor

25A Glass Passivated Bridge Rectifier

Features

Glass passivated die construction

High case dielectric strength of 1500V

Low reverse leakage current

RMS

Surge overload rating to 350A peak

Ideal for printed circuit board applications

Plastic material – UL Recognition flammability

classification 94V–0

14 401

ULRecognized file #E95060

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol

Value

100

200

400

600

800

1000

350

Unit

Repetitive peak reverse voltage

=Working peak reverse voltage

=DC Blocking voltage

GBJ25005

GBJ2501

GBJ2502

GBJ2504

GBJ2506

GBJ2508

GBJ2510

RRM

RWM

Peak forward surge current

FSM

Average forward current

T =100 C

FAV

Junction and storage temperature range

T =T

–65...+150

stg

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type Symbol Min

Typ Max Unit

Forward voltage

Reverse current

I =12.5A

1.05

500

510 A s

T =25 C

I t

T =125 C

I t Rating for fusing

Diode capacitance

V =4V, f=1MHz

Thermal resistance

junction to case

mounted on

220x220x1.6mm aluminum plate

thJC

1.6

K/W

Rev. A2, 24-Jun-98

1 (4)

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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