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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GA300DD120U | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GA300KD120S | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GA300KD120U | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GA300KS60U | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| GA300ND120S | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GA300TD60S | VISHAY |
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Dual INT-A-PAK Low Profile 'Half-Bridge' (Standard Speed IGBT), 300 A |
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| GA300TD60U | INFINEON |
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HALF-BRIDGE IGBT DUAL INT-A-PAK |
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| GA301 | MICROSEMI |
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SCRs Commercial Nanosecond Switching Planar |
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| GA301A | MICROSEMI |
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SCRs Commercial Nanosecond Switching Planar |
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| GA301AE3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.314A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-18, |
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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