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G2SB60/51

更新时间： 2024-09-28 18:31:07

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	223K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GBL, 4 PIN

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G2SB60/51 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PSIP-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.44	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	600 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T4
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最大输出电流：	1.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

G2SB60/51 数据手册

G2SB20, G2SB60 & G2SB80

Vishay General Semiconductor

Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

Major Ratings and Characteristics

Case Type GBL

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

I_R

1.5 A

200 V, 600 V, 800 V

80 A

5 µA

V_F

1.0 V

T_jmax.

150 °C

Features

Mechanical Data

• UL Recognition file number E54214

• Ideal for printed circuit boards

• High surge current capability

Case: GBL

Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating

Terminals: Matte tin plated (E3 Suffix) leads, solder-

able per J-STD-002B and JESD22-B102D

• Typical I less than 0.1µA

Polarity: As marked on body

• High case dielectric strength

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Typical Applications

General purpose use in ac-to-dc bridge full wave rec-

tification for Monitor, TV, Printer, SMPS, Adapter,

Audio equipment, and Home Appliances application

Maximum Ratings

Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

V_RRM

G2SB20

200

G2SB60

600

G2SB80

800

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RMS

V_DC

140

200

420

600

1.5

560

800

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified output current

at T_A= 25 °C

I_F(AV)

Peak forward surge current single sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

I²t

A²sec

°C

Rating for fusing (t < 8.3 ms)

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

Document Number 88603

08-Jul-05

www.vishay.com

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
G2SB60/51-E4	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBL, 4 PIN, Bridge Rect
G2SB60E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GBL, 4 PIN,
G2SB60-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GBL, 4 PIN,
G2SB60-E3/1	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE
G2SB60-E3/22	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE
G2SB60-E3/45	VISHAY	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
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