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G2SB80-M3/45

更新时间： 2024-01-27 16:11:03

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威世 - VISHAY		二极管
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4页	85K
描述
DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode

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G2SB80-M3/45 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSIP-T4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	800 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
最大重复峰值反向电压：	800 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

G2SB80-M3/45 数据手册

G2SB20, G2SB60, G2SB80

Vishay General Semiconductor

Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

FEATURES

• UL recognition file number E54214

• Ideal for printed circuit boards

• High surge current capability

• Typical I less than 0.1 µA

• High case dielectric strength

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

Case Type GBL

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21

definition

TYPICAL APPLICATIONS

General purpose use in AC/DC bridge full wave

rectification for monitor, TV, printer, SMPS, adapter,

audio equipment, and home appliances application.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.5 A

V_RRM

I_FSM

I_R

200 V, 600 V, 800 V

80 A

5 µA

MECHANICAL DATA

Case: GBL

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability

rating

V_F

1.0 V

150 °C

T_Jmax.

Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,

commercial grade

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: As marked on body

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

G2SB20

200

G2SB60

600

G2SB80

800

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RMS

140

420

560

Maximum DC blocking voltage

V_DC

200

600

800

Maximum average forward rectified output current

at T_A= 25 °C

I_F(AV)

1.5

Peak forward surge current single sine-wave superimposed

on rated load

I_FSM

Rating for fusing (t < 8.3 ms)

I²t

A²s

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

TEST CONDITIONS SYMBOL

G2SB20

G2SB60

G2SB80

UNIT

Maximum instantaneous forward

voltage drop per diode

0.75 A

V_F

I_R

1.00

Maximum DC reverse current at rated T_A= 25 °C

DC blocking voltage per diode

5.0

300

µA

T_A= 125 °C

Document Number: 89302

Revision: 16-Nov-11

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

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G2SBA06	AMERICASEMI	获取价格	BRIDGE RECTIFIERS
G2SBA08	AMERICASEMI	获取价格	BRIDGE RECTIFIERS
G2SBA10	AMERICASEMI	获取价格	BRIDGE RECTIFIERS
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