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G2SBA20-E3/45

更新时间： 2024-02-23 06:59:41

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威世 - VISHAY		二极管
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4页	90K
描述
RECTFR BRIDGE SGL 200V 1.5A 4PIN CASE GBL - Rail/Tube

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G2SBA20-E3/45 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PSIP-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.81
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	Base Number Matches：	1

G2SBA20-E3/45 数据手册

G2SBA20, G2SBA60, G2SBA80

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

FEATURES

• UL recognition file number E54214

• Ideal for printed circuit boards

• High surge current capability

• Typical I_Rless than 0.1 μA

• High case dielectric strength

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

Case Type GBL

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification

for monitor, TV, printer, SMPS, adapter, audio equipment,

and home appliances applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

Package

GBL

I_F(AV)

1.5 A

MECHANICAL DATA

V_RRM

I_FSM

200 V, 600 V, 800 V

Case: GBL

60 A

5 μA

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

I_R

V_Fat I_F= 0.75 V

T_Jmax.

1.0 V

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

150 °C

In-Line

Diode variations

Polarity: As marked on body

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

G2SBA20

G2SBA60

600

G2SBA80

800

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

200

V_RMS

140

420

560

Maximum DC blocking voltage

V_DC

200

600

800

Maximum average forward rectified output current

at T_A= 25 °C

I_F(AV)

1.5

Peak forward surge current single sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Rating for fusing (t < 8.3 ms)

I²t

A²s

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

TEST CONDITIONS

SYMBOL

G2SBA20

G2SBA60

G2SBA80

UNIT

Maximum instantaneous forward

voltage drop per diode

0.75 A

V_F

1.00

T_A= 25 °C

5.0

Maximum DC reverse current at

rated DC blocking voltage per diode

I_R

μA

T_A= 125 °C

300

Revision: 16-Aug-13

Document Number: 88604

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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