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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> G2SB60-E3/51
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G2SB60-E3/51

更新时间： 2024-09-28 07:00:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

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G2SB60-E3/51 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PSIP-T4针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.29Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：600 V
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PSIP-T4
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

G2SB60-E3/51 数据手册

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G2SB20, G2SB60 & G2SB80  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier  
FEATURES  
• UL recognition file number E54214  
• Ideal for printed circuit boards  
• High surge current capability  
• Typical I less than 0.1 µA  
R
~
~
• High case dielectric strength  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
~
~
Case Type GBL  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
General purpose use in ac-to-dc bridge full wave  
rectification for monitor, TV, printer, SMPS, adapter,  
audio equipment, and home appliances application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
1.5 A  
VRRM  
IFSM  
IR  
200 V, 600 V, 800 V  
MECHANICAL DATA  
Case: GBL  
80 A  
5 µA  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
VF  
1.0 V  
150 °C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
TJ max.  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
Polarity: As marked on body  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
G2SB20  
200  
G2SB60  
600  
G2SB80  
800  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
V
V
V
VRMS  
140  
420  
560  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
200  
600  
800  
Maximum average forward rectified output current  
at TA = 25 °C  
IF(AV)  
1.5  
80  
A
Peak forward surge current single sine-wave superimposed  
on rated load  
IFSM  
A
Rating for fusing (t < 8.3 ms)  
I2t  
27  
A2s  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL  
G2SB20  
G2SB60  
G2SB80  
UNIT  
Maximum instantaneous forward  
voltage drop per diode  
0.75 A  
VF  
IR  
1.00  
V
Maximum DC reverse current at rated  
DC blocking voltage per diode  
TA = 25 °C  
5.0  
300  
µA  
TA = 125 °C  
Document Number: 88603  
Revision: 12-Feb-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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与G2SB60-E3/51相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
G2SB60-E3/72 VISHAY

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE
G2SB60-M3/45 VISHAY

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 		DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode
G2SB60-M3/51 VISHAY

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 		DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode
G2SB80 MIC

获取价格

 		GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
G2SB80 GULFSEMI

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 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 1.5A
G2SB80 VISHAY

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 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
G2SB80/51 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GBL, 4 PIN
G2SB80/51-E4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBL, 4 PIN, Bridge Rect
G2SB80/72-E4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBL, 4 PIN, Bridge Rect
G2SB80-BP MCC

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBL,

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