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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VOLTAGE MULTIPLIER DIODE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G20120D1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G20120D1FC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G20120D1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G20120D1TB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G20120D1TBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G20120D1TC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G20120D1TN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
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| G20120H1EB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G20120H1EB1SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G20120H1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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