是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J24 | JESD-609代码: | e2 |
长度: | 10.16 mm | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | -30 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.7 mm |
标称供电电压: | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 电信集成电路类型: | TELECOM CIRCUIT |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | TIN SILVER |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FX3AS06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA | |
FX3AS2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA | |
FX3AS-2 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
FX3AS3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA | |
FX3AS-3 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
FX3ASH06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA | |
FX3ASH2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA | |
FX3ASH-2 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
FX3ASH3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA | |
FX3ASH-3 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |