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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX3ASJ-06 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| FX3ASJ-06 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.46ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FX3ASJ2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA |
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| FX3ASJ-2 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| FX3ASJ3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA |
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| FX3ASJ-3 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX3ASJ-3 | POWEREX |
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Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX3ASJ-3 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX3ASJ-3-T13 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX-3-FREQ1-3OT-STBY3-SR | FOX |
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Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 30MHz Min, 36MHz Max |
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