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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLATPACK, R-PDFP-F6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDFP-F6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX20AS-03 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FX20AS06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
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| FX20AS-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FX20AS2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
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| FX20AS-2 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| FX20ASH03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
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| FX20ASH06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
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| FX20ASH-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FX20ASH2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
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| FX20ASH-2 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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