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FW905-TL-E PDF预览

FW905-TL-E

更新时间： 2024-09-15 20:58:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 112K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,7A I(D),SO

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FW905-TL-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.78最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Base Number Matches：1

FW905-TL-E 数据手册

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Ordering number : EN8754  
N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs  
General-Purpose Switching Device  
Applications  
FW905  
Features  
• Composite type with an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET driving from a 2.5V supply voltage  
contained in a single package.  
• High-density mounting.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
Symbol  
Conditions  
N-channel  
20  
P-channel  
--20  
Unit  
V
V
DSS  
GSS  
V
±10  
7
±10  
--6  
V
I
D
A
Drain Current (PW≤10µs)  
I
Duty cycle≤1%  
52  
--52  
A
DP  
Mounted on a ceramic board  
(1500mm2✕0.8mm)1unit, PW≤10s  
Mounted on a ceramic board  
(1500mm2✕0.8mm), PW≤10s  
Allowable Power Dissipation  
Total Dissipation  
P
2.3  
W
W
D
P
T
2.5  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
[N-channel]  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=1mA, V =0V  
D GS  
20  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
I
V
V
V
V
=20V, V =0V  
GS  
1
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
=±8V, V =0V  
DS  
±10  
V
(off)  
GS  
=10V, I =1mA  
0.5  
9
1.3  
D
Forward Transfer Admittance  
yfs  
=10V, I =7A  
15  
18  
S
D
R
R
(on)1  
DS  
I
I
=7A, V =4V  
GS  
24  
33  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
D
D
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
(on)2  
DS  
=3A, V =2.5V  
GS  
20  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Marking : W905  
Ciss  
V
V
V
=10V, f=1MHz  
DS  
=10V, f=1MHz  
DS  
=10V, f=1MHz  
DS  
1530  
230  
215  
Coss  
Crss  
Continued on next page.  
© 2011, SCILLC. All rights reserved.  
Jan-2011, Rev. 0  
Publication Order Number:  
www.onsemi.com  
FW905/D  
123456

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