生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.83 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 25 A |
最大漏源导通电阻: | 0.11 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 50 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 430 ns | 最大开启时间(吨): | 145 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ476-01L_06 | FUJI | P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SJ476-01S | FUJI | P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SJ477-01MR | FUJI | Power MOSFET |
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2SJ477-01MR_06 | FUJI | P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SJ478 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
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2SJ479 | HITACHI | Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
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