FT2000AA ... FT2000KG
FT2000AA ... FT2000KG
Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities
Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritäten
Version 2013-05-07
Nominal current
Nennstrom
20 A
50...400 V
TO-220AC
1.8 g
10.1±0.3
1.2±0.2
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
4
4
Ø 3.8±0.2
4
A
4.5±0.2
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Type
Typ
1
1
3
1
3
Weight approx.
Gewicht ca.
2.67±0.2
0.42±0.1
K
1.3±0.1
0.8±0.2
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
3
5.08±0.1
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type / Typ
Repet. peak reverse voltage Surge peak reverse volt.
Period. Spitzensperrspanng. Stoßspitzensperrspanng.
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
Polarity / Polarität
VRRM [V]
VRSM [V]
K
A
IF = 5 A
IF = 20 A
(Standard) (Reverse)
FT2000KA
FT2000KB
FT2000AA
FT2000AB
50
100
150
200
400
50
100
150
200
400
< 0.84
< 0.84
< 0.84
< 0.84
< 0.84
< 0.96
< 0.96
< 0.96
< 0.96
< 0.96
FT2000KC FT2000AC
FT2000KD FT2000AD
FT2000KG FT2000AG
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
20 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
70 A 2)
350/385 A
612 A2s
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Tj
-50...+150°C
+200°C
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
1
2
Tj = 25°C
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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