5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> FSX017WF
FSX017WF PDF预览

FSX017WF

更新时间： 2024-02-05 00:39:43
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 95K
描述
General Purpose GaAs FET

阅读下载

获取价格

FSX017WF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N4针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.27
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：12 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：X BAND
JESD-30 代码：R-XUUC-N4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FSX017WF 数据手册

 浏览型号FSX017WF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FSX017WF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FSX017WF的Datasheet PDF文件第4页 
FSX017WF  
General Purpose GaAs FET  
FEATURES  
• Medium Power Output: P  
=21.5dB (Typ.)@8.0GHz  
1dB  
• High Power Gain: G  
• Hermetic Metal/Ceramic Package  
• Proven Reliability  
=11dB (Typ.)@8.0GHz  
1dB  
DESCRIPTION  
The FSX017WF is a general purpose GaAs FET designed for medium  
power applications up to the 12GHz. These devices have a wide  
dynamic range and are suitable for use in medium power, wide band,  
linear drive amplifiers or oscillators.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
GS  
12  
-5  
V
V
T = 25°C  
c
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
P
1.0  
-65 to +175  
175  
W
tot  
T
T
°C  
°C  
stg  
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain - source operating voltage (V ) should not exceed 8 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 0.7 and -0.1 mA respectively with  
gate resistance of 2000Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
V
I
= 3V, V  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
I
35  
55  
75  
-
mA  
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
m
Transconductance  
Pinch-off Voltage  
= 3V, I  
= 27mA  
= 2.7mA  
-
50  
mS  
V
DS  
V
p
= 3V, I  
DS  
-0.7 -1.2  
-1.7  
-
V
-
V
Gate Source Breakdown Voltage  
Noise Figure  
= -2.7µA  
-5.0  
GSO  
NF  
GS  
2.5  
-
-
dB  
dB  
-
V
= 3V, I  
= 10mA  
DS  
f = 8GHz  
DS  
G
as  
Associated Gain  
-
-
10.5  
21.5  
-
-
f = 4GHz  
f = 8GHz 20.5 21.5  
f = 12GHz  
dBm  
dBm  
V
= 8V,  
DS  
= 0.7I  
P
Output Power at 1 dB G.C.P.  
Power Gain at 1 dB G.C.P.  
1dB  
I
DS  
DSS  
-
-
-
20.5  
15.0  
dBm  
-
-
-
f = 4GHz  
f = 8GHz  
f = 12GHz  
dB  
dB  
dB  
V
= 8V,  
DS  
= 0.7I  
G
10.0 11.0  
-
1dB  
I
DS  
DSS  
7.5  
R
Thermal Resistance  
CASE STYLE: WF  
Channel to Case  
-
120  
150  
°C/W  
th  
G.C.P.: Gain Compression Point  
Edition 1.2  
July 1999  
1
1234

下载PDF

与FSX017WF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FSX017X EUDYNA GaAs FET & HEMT Chips

获取价格
FSX017X/001 FUJITSU RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Sem

获取价格
FSX027WF EUDYNA General Purpose GaAs FET

获取价格
FSX027X EUDYNA GaAs FET & HEMT Chips

获取价格
FSX327 FOX Quartz Crystal

获取价格
FSX51LG/001 FUJITSU Transistor

获取价格

与FSX017WF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证