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FSX017LG

更新时间： 2024-11-05 03:37:59
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 81K
描述
General Purpose GaAs FET

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FSX017LG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.25Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：8 V
FET 技术：JUNCTION最高频带：X BAND
JESD-30 代码：O-CRDB-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FSX017LG 数据手册

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FSX017LG  
General Purpose GaAs FET  
FEATURES  
• Medium Power Output: P  
= 16.0dBm (Typ.)@12.0GHz  
1dB  
= 8.0dB (Typ.)@12.0GHz  
• High Power Gain: G  
• Proven Reliability  
1dB  
• Cost Effective Hermetic Microstrip Package  
• Tape and Reel Available  
DESCRIPTION  
The FSX017LG is a general purpose GaAs FET designed for medium  
power applications up to 12GHz. These devices have a wide dynamic  
range and are suitable for use in medium power, wide band, linear drive  
amplifiers.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
V
V
8
-5  
V
V
DS  
GS  
Note  
P
T
220  
mW  
tot  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
-65 to +175  
175  
°C  
°C  
stg  
T
ch  
Note: Mounted on Al O board (30 x 30 x 0.65mm)  
2
3
For reliable operation of this FET:  
1. The drain - source operating voltage (VDS) should not exceed 4 volts.  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 0.7 and -0.1 mA respectively with  
gate resistance of 2000Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
V
= 3V, V  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
I
35  
55  
75  
mA  
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
= 3V, I  
= 27mA  
= 2.7mA  
Transconductance  
Pinch-off Voltage  
-
50  
-
m
mS  
V
DS  
= 3V, I  
DS  
V
p
-0.7 -1.2  
-1.7  
Gate Source Breakdown Voltage  
Output Power at 1dB G.C.P.  
V
-
-
-
I
= -2.7µA  
-5  
15.0 16.0  
V
GSO  
GS  
P
dBm  
1dB  
V
I
= 4V  
DS  
= 30mA  
DS  
f = 12GHz  
Power Gain at 1dB G.C.P.  
7.0  
-
8.0  
-
dB  
G
1dB  
R
Thermal Resistance  
Channel to Case  
300  
400  
°C/W  
th  
G.C.P.: Gain Compression Point  
CASE STYLE: LG  
Note: The RF parameters are measured on a lot basis by sample testing  
at an AQL = 0.1%, Level-II inspection. Any lot failure shall be 100% retested.  
Edition 1.2  
July 1999  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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