5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 京瓷/艾维克斯 - KYOCERA AVX |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 612K |  |
| 描述 | ||
| Fast recovery diodes are PN junction diodes with the same structure and function as general rectif | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FSF1820 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FSF1820E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FSF2210E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| FSF250 | INTERSIL |
获取价格 |
24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs |
|
| FSF2506 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, TO-254, 3 PIN |
|
| FSF250D | INTERSIL |
获取价格 |
24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs |
|
| FSF250D1 | INTERSIL |
获取价格 |
24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs |
|
| FSF250D1 | RENESAS |
获取价格 |
24A, 200V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254 |
|
| FSF250D3 | INTERSIL |
获取价格 |
24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs |
|
| FSF250D3 | RENESAS |
获取价格 |
24A, 200V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254 |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
