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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-254 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FSF15F60 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220, 3/2 PIN |
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| FSF15F60 | KYOCERA AVX |
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Fast recovery diodes are PN junction diodes with the same structure and function as genera |
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| FSF15H60 | KYOCERA AVX |
获取价格 |
Fast recovery diodes are PN junction diodes with the same structure and function as genera |
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| FSF1820 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FSF1820E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FSF2210E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FSF250 | INTERSIL |
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24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs |
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| FSF2506 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, TO-254, 3 PIN |
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| FSF250D | INTERSIL |
获取价格 |
24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs |
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| FSF250D1 | INTERSIL |
获取价格 |
24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs |
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