5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220S |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.031 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS50VSJ03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
|
| FS50VSJ-03 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS50VSJ-03 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS50VSJ-03 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
|
| FS50VSJ-03-T1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS50VSJ-03-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS50VSJ06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
|
| FS50VSJ-06 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS50VSJ-06 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS50VSJ-06 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
