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FS50VSJ-2

更新时间： 2024-11-14 07:00:11

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管脉冲
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7页	172K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

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FS50VSJ-2 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220S
包装说明：	SC-83, TO-220S, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS50VSJ-2 数据手册

FS50VSJ-2

High-Speed Switching Use

Nch Power MOS FET

REJ03G1426-0200

(Previous: MEJ02G0069-0101)

Rev.2.00

Aug 07, 2006

Features

•

Drive voltage : 4 V

_DSS: 100 V

_{DS(ON) (max)}: 48 mΩ

I_D: 50 A

Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 90 ns

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004AB-A

(Package name: TO-220S)

2, 4

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Applications

Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

100

±20

V_DS= 0 V

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed)

Source current

I_DM

200

I_DA

L = 50 µH

I_S

200

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_SM

P_D

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

1.2

Typical value

Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

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