FS50VSJ-06

更新时间： 2024-11-14 07:00:11

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

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FS50VSJ-06 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220S
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS50VSJ-06 数据手册

To all our customers

Regarding the change of names mentioned in the document, such as Mitsubishi

Electric and Mitsubishi XX, to Renesas Technology Corp.

The semiconductor operations of Hitachi and Mitsubishi Electric were transferred to Renesas

Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog

and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)

Accordingly, although Mitsubishi Electric, Mitsubishi Electric Corporation, Mitsubishi

Semiconductors, and other Mitsubishi brand names are mentioned in the document, these names

have in fact all been changed to Renesas Technology Corp. Thank you for your understanding.

Except for our corporate trademark, logo and corporate statement, no changes whatsoever have been

made to the contents of the document, and these changes do not constitute any alteration to the

contents of the document itself.

Note : Mitsubishi Electric will continue the business operations of high frequency & optical devices

and power devices.

Renesas Technology Corp.

Customer Support Dept.

April 1, 2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS50VSJ-06-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS50VSJ-06-T2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS50VSJ2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-263AB
FS50VSJ-2	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS50VSJ-2	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS50VSJ-2	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS50VSJ-2-A1	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS50VSJ-2-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FS50VSJ-2-T11	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS50VSJ3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-263AB

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