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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.031 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS50UMJ-3-A8 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS50VS03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
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| FS50VS-03 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS50VS-03-T1 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS50VS06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
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| FS50VS-06 | POWEREX |
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Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS50VS-06 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS50VS-06-T1 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS50VS-06-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS50VS2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
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