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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FS50UMJ-3-A8
FS50UMJ-3-A8 PDF预览

FS50UMJ-3-A8

更新时间： 2024-11-14 07:00:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 172K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

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FS50UMJ-3-A8 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：SC-46, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.34Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.031 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FS50UMJ-3-A8 数据手册

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FS50UMJ-3  
High-Speed Switching Use  
Nch Power MOS FET  
REJ03G1425-0200  
(Previous: MEJ02G0083-0101)  
Rev.2.00  
Aug 07, 2006  
Features  
•
•
•
•
•
Drive voltage : 4 V  
DSS : 150 V  
DS(ON) (max) : 30 mΩ  
V
r
ID : 50 A  
Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 125 ns  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AA-A  
(Package name: TO-220)  
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
3
Applications  
Motor control, Lamp contrC-DC converters, etc.  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
Conditions  
VGS = 0 V  
150  
V
V
±20  
VDS = 0 V  
50  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche drain current (Pulsed)  
Source current  
IDM  
200  
A
IDA  
50  
50  
A
L = 100 µH  
IS  
A
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Mass  
ISM  
200  
A
PD  
125  
W
°C  
°C  
g
Tch  
Tstg  
—
– 55 to +150  
– 55 to +150  
2.0  
Typical value  
Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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