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FS50SMJ-06

更新时间： 2024-09-25 22:32:11

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	45K
描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS50SMJ-06 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS50SMJ-06 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS50SMJ-06

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS50SMJ-06

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

4.5

15.9MAX.

1.5

f 3.2

4.4

1.0

5.45

0.6

2.8

w r

q GATE

¡4V DRIVE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡VDSS ................................................................................. 60V

¡rDS (ON) (MAX) ............................................................. 20mΩ

¡ID ........................................................................................ 50A

¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ............ 70ns

TO-3P

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

±20

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

200

Avalanche drain current (Pulsed) L = 100µH

Source current

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

200

°C

Tch

–55 ~ +150

4.8

Tstg

—

Storage temperature

Weight

Typical value

Feb.1999

12 3 4

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