Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FS50SMJ-3-A8

FS50SMJ-3-A8

更新时间： 2024-11-14 07:00:11

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
7页	198K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FS50SMJ-3-A8 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	SC-65, TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.031 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS50SMJ-3-A8 数据手册

FS50SMJ-3

High-Speed Switching Use

Nch Power MOS FET

REJ03G1423-0300

Rev.3.00

Nov 21, 2006

Features

•

Drive voltage : 4 V

_DSS: 150 V

_{DS(ON) (max)}: 30 mΩ

I_D: 50 A

Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 125 ns

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A

(Package name: TO-3P)

2, 4

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Applications

Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Conditions

150

V_GS= 0 V

V_DS= 0 V

±20

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed)

Source current

I_DM

200

I_DA

L = 100 µH

I_S

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_SM

200

P_D

150

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

4.8

Typical value

Rev.3.00 Nov 21, 2006 page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与FS50SMJ-3-A8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS50UM03	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-220AB
FS50UM-03	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS50UM-03	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS50UM06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-220AB
FS50UM-06	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS50UM-06	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS50UM-06	RENESAS	获取价格	MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS50UM2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-220AB
FS50UM-2	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS50UM-2	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE